Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFZ140N25T
MOSFET N-CH 250V 100A DE475
Číslo dílu
IXFZ140N25T
Výrobce/značka
Série
GigaMOS™ HiPerFET™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
DE475
Dodavatelský balíček zařízení
DE475
Ztráta energie (max.)
445W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
17 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
255nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
19000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41867 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFZ140N25T
IXFZ140N25T Elektronické komponenty
IXFZ140N25T Odbyt
IXFZ140N25T Dodavatel
IXFZ140N25T Distributor
IXFZ140N25T Datová tabulka
IXFZ140N25T Fotky
IXFZ140N25T Cena
IXFZ140N25T Nabídka
IXFZ140N25T Nejnižší cena
IXFZ140N25T Vyhledávání
IXFZ140N25T Nákup
IXFZ140N25T Chip