Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXSQ20N60B2D1
IGBT 600V 35A 190W TO3P
Číslo dílu
IXSQ20N60B2D1
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Bulk
Typ vstupu
Standard
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Výkon - Max
190W
Dodavatelský balíček zařízení
TO-3P
Reverzní doba zotavení (trr)
30ns
Proud – kolektor (Ic) (Max)
35A
Napětí – porucha kolektoru emitoru (max.)
600V
typ IGBT
PT
Vce (aktivní) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 16A
Proud – pulzující kolektor (ICM)
-
Přechod energie
380µJ (off)
Poplatky za bránu
33nC
BP (zapnuto/vypnuto) @ 25 °C
30ns/116ns
Zkouška stavu
-
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 21426 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXSQ20N60B2D1
IXSQ20N60B2D1 Elektronické komponenty
IXSQ20N60B2D1 Odbyt
IXSQ20N60B2D1 Dodavatel
IXSQ20N60B2D1 Distributor
IXSQ20N60B2D1 Datová tabulka
IXSQ20N60B2D1 Fotky
IXSQ20N60B2D1 Cena
IXSQ20N60B2D1 Nabídka
IXSQ20N60B2D1 Nejnižší cena
IXSQ20N60B2D1 Vyhledávání
IXSQ20N60B2D1 Nákup
IXSQ20N60B2D1 Chip