Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTA02N250HV

IXTA02N250HV

MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO263
Číslo dílu
IXTA02N250HV
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
TO-263AB
Ztráta energie (max.)
83W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
2500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
200mA (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
450 Ohm @ 50mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.4nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
116pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48453 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXTA02N250HV
IXTA02N250HV Elektronické komponenty
IXTA02N250HV Odbyt
IXTA02N250HV Dodavatel
IXTA02N250HV Distributor
IXTA02N250HV Datová tabulka
IXTA02N250HV Fotky
IXTA02N250HV Cena
IXTA02N250HV Nabídka
IXTA02N250HV Nejnižší cena
IXTA02N250HV Vyhledávání
IXTA02N250HV Nákup
IXTA02N250HV Chip