Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTA08N100D2HV
MOSFET N-CH
Číslo dílu
IXTA08N100D2HV
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
TO-263HV
Ztráta energie (max.)
60W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Depletion Mode
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
800mA (Tj)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
21 Ohm @ 400mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 25µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14.6nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
325pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
0V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 15148 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTA08N100D2HV
IXTA08N100D2HV Elektronické komponenty
IXTA08N100D2HV Odbyt
IXTA08N100D2HV Dodavatel
IXTA08N100D2HV Distributor
IXTA08N100D2HV Datová tabulka
IXTA08N100D2HV Fotky
IXTA08N100D2HV Cena
IXTA08N100D2HV Nabídka
IXTA08N100D2HV Nejnižší cena
IXTA08N100D2HV Vyhledávání
IXTA08N100D2HV Nákup
IXTA08N100D2HV Chip