Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTA10N60P
MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK
Číslo dílu
IXTA10N60P
Výrobce/značka
Série
Polar™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
TO-263 (IXTA)
Ztráta energie (max.)
200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
600V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
740 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1610pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail chen_hx1688@hotmail.com, budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30271 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTA10N60P
IXTA10N60P Elektronické komponenty
IXTA10N60P Odbyt
IXTA10N60P Dodavatel
IXTA10N60P Distributor
IXTA10N60P Datová tabulka
IXTA10N60P Fotky
IXTA10N60P Cena
IXTA10N60P Nabídka
IXTA10N60P Nejnižší cena
IXTA10N60P Vyhledávání
IXTA10N60P Nákup
IXTA10N60P Chip