Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTA180N10T7
MOSFET N-CH 100V 180A TO-263-7
Číslo dílu
IXTA180N10T7
Výrobce/značka
Série
TrenchMV™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Dodavatelský balíček zařízení
TO-263-7 (IXTA..7)
Ztráta energie (max.)
480W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
151nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16622 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTA180N10T7
IXTA180N10T7 Elektronické komponenty
IXTA180N10T7 Odbyt
IXTA180N10T7 Dodavatel
IXTA180N10T7 Distributor
IXTA180N10T7 Datová tabulka
IXTA180N10T7 Fotky
IXTA180N10T7 Cena
IXTA180N10T7 Nabídka
IXTA180N10T7 Nejnižší cena
IXTA180N10T7 Vyhledávání
IXTA180N10T7 Nákup
IXTA180N10T7 Chip