Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTA1R4N100P
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-263
Číslo dílu
IXTA1R4N100P
Výrobce/značka
Série
Polar™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
TO-263 (IXTA)
Ztráta energie (max.)
63W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
17.8nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
450pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 28224 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTA1R4N100P
IXTA1R4N100P Elektronické komponenty
IXTA1R4N100P Odbyt
IXTA1R4N100P Dodavatel
IXTA1R4N100P Distributor
IXTA1R4N100P Datová tabulka
IXTA1R4N100P Fotky
IXTA1R4N100P Cena
IXTA1R4N100P Nabídka
IXTA1R4N100P Nejnižší cena
IXTA1R4N100P Vyhledávání
IXTA1R4N100P Nákup
IXTA1R4N100P Chip