Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTA26P10T
MOSFET P-CH 100V 26A TO-263
Číslo dílu
IXTA26P10T
Výrobce/značka
Série
TrenchP™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
TO-263 (IXTA)
Ztráta energie (max.)
150W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
90 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
52nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3820pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 11614 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTA26P10T
IXTA26P10T Elektronické komponenty
IXTA26P10T Odbyt
IXTA26P10T Dodavatel
IXTA26P10T Distributor
IXTA26P10T Datová tabulka
IXTA26P10T Fotky
IXTA26P10T Cena
IXTA26P10T Nabídka
IXTA26P10T Nejnižší cena
IXTA26P10T Vyhledávání
IXTA26P10T Nákup
IXTA26P10T Chip