Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTA3N50D2
MOSFET N-CH 500V 3A D2PAK
Číslo dílu
IXTA3N50D2
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
TO-263 (IXTA)
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Depletion Mode
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.5 Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1070pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 37753 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTA3N50D2
IXTA3N50D2 Elektronické komponenty
IXTA3N50D2 Odbyt
IXTA3N50D2 Dodavatel
IXTA3N50D2 Distributor
IXTA3N50D2 Datová tabulka
IXTA3N50D2 Fotky
IXTA3N50D2 Cena
IXTA3N50D2 Nabídka
IXTA3N50D2 Nejnižší cena
IXTA3N50D2 Vyhledávání
IXTA3N50D2 Nákup
IXTA3N50D2 Chip