Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTA6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 6A D2PAK
Číslo dílu
IXTA6N100D2
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Dodavatelský balíček zařízení
TO-263 (IXTA)
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Depletion Mode
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.2 Ohm @ 3A, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
95nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2650pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30337 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTA6N100D2
IXTA6N100D2 Elektronické komponenty
IXTA6N100D2 Odbyt
IXTA6N100D2 Dodavatel
IXTA6N100D2 Distributor
IXTA6N100D2 Datová tabulka
IXTA6N100D2 Fotky
IXTA6N100D2 Cena
IXTA6N100D2 Nabídka
IXTA6N100D2 Nejnižší cena
IXTA6N100D2 Vyhledávání
IXTA6N100D2 Nákup
IXTA6N100D2 Chip