Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTB62N50L
MOSFET N-CH 500V 62A PLUS264
Číslo dílu
IXTB62N50L
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-264-3, TO-264AA
Dodavatelský balíček zařízení
PLUS264™
Ztráta energie (max.)
800W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
62A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
100 mOhm @ 31A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
550nC @ 20V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
11500pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
20V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35115 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTB62N50L
IXTB62N50L Elektronické komponenty
IXTB62N50L Odbyt
IXTB62N50L Dodavatel
IXTB62N50L Distributor
IXTB62N50L Datová tabulka
IXTB62N50L Fotky
IXTB62N50L Cena
IXTB62N50L Nabídka
IXTB62N50L Nejnižší cena
IXTB62N50L Vyhledávání
IXTB62N50L Nákup
IXTB62N50L Chip