Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTD4N80P-3J

IXTD4N80P-3J

MOSFET N-CH 800
Číslo dílu
IXTD4N80P-3J
Výrobce/značka
Série
PolarHV™
Stav sekce
Last Time Buy
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
Die
Dodavatelský balíček zařízení
Die
Ztráta energie (max.)
100W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
800V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.4 Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 100µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14.2nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
750pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36243 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXTD4N80P-3J
IXTD4N80P-3J Elektronické komponenty
IXTD4N80P-3J Odbyt
IXTD4N80P-3J Dodavatel
IXTD4N80P-3J Distributor
IXTD4N80P-3J Datová tabulka
IXTD4N80P-3J Fotky
IXTD4N80P-3J Cena
IXTD4N80P-3J Nabídka
IXTD4N80P-3J Nejnižší cena
IXTD4N80P-3J Vyhledávání
IXTD4N80P-3J Nákup
IXTD4N80P-3J Chip