Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTP05N100P
MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263
Číslo dílu
IXTP05N100P
Výrobce/značka
Série
Polar™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
50W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
500mA (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
30 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
8.1nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
196pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27211 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTP05N100P
IXTP05N100P Elektronické komponenty
IXTP05N100P Odbyt
IXTP05N100P Dodavatel
IXTP05N100P Distributor
IXTP05N100P Datová tabulka
IXTP05N100P Fotky
IXTP05N100P Cena
IXTP05N100P Nabídka
IXTP05N100P Nejnižší cena
IXTP05N100P Vyhledávání
IXTP05N100P Nákup
IXTP05N100P Chip