Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTP1N100P
MOSFET N-CH 1000V 1A TO-220
Číslo dílu
IXTP1N100P
Výrobce/značka
Série
Polar™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
50W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
15 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
15.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
331pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 6378 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTP1N100P
IXTP1N100P Elektronické komponenty
IXTP1N100P Odbyt
IXTP1N100P Dodavatel
IXTP1N100P Distributor
IXTP1N100P Datová tabulka
IXTP1N100P Fotky
IXTP1N100P Cena
IXTP1N100P Nabídka
IXTP1N100P Nejnižší cena
IXTP1N100P Vyhledávání
IXTP1N100P Nákup
IXTP1N100P Chip