Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTP1R6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
Číslo dílu
IXTP1R6N100D2
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
100W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Depletion Mode
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
10 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
645pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16707 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTP1R6N100D2
IXTP1R6N100D2 Elektronické komponenty
IXTP1R6N100D2 Odbyt
IXTP1R6N100D2 Dodavatel
IXTP1R6N100D2 Distributor
IXTP1R6N100D2 Datová tabulka
IXTP1R6N100D2 Fotky
IXTP1R6N100D2 Cena
IXTP1R6N100D2 Nabídka
IXTP1R6N100D2 Nejnižší cena
IXTP1R6N100D2 Vyhledávání
IXTP1R6N100D2 Nákup
IXTP1R6N100D2 Chip