Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTP3N50D2
MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
Číslo dílu
IXTP3N50D2
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
125W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Depletion Mode
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.5 Ohm @ 1.5A, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1070pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail chen_hx1688@hotmail.com, budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 44946 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTP3N50D2
IXTP3N50D2 Elektronické komponenty
IXTP3N50D2 Odbyt
IXTP3N50D2 Dodavatel
IXTP3N50D2 Distributor
IXTP3N50D2 Datová tabulka
IXTP3N50D2 Fotky
IXTP3N50D2 Cena
IXTP3N50D2 Nabídka
IXTP3N50D2 Nejnižší cena
IXTP3N50D2 Vyhledávání
IXTP3N50D2 Nákup
IXTP3N50D2 Chip