Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTP6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB
Číslo dílu
IXTP6N100D2
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-220-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-220AB
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Depletion Mode
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.2 Ohm @ 3A, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
95nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2650pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32705 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTP6N100D2
IXTP6N100D2 Elektronické komponenty
IXTP6N100D2 Odbyt
IXTP6N100D2 Dodavatel
IXTP6N100D2 Distributor
IXTP6N100D2 Datová tabulka
IXTP6N100D2 Fotky
IXTP6N100D2 Cena
IXTP6N100D2 Nabídka
IXTP6N100D2 Nejnižší cena
IXTP6N100D2 Vyhledávání
IXTP6N100D2 Nákup
IXTP6N100D2 Chip