Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTQ10P50P

IXTQ10P50P

MOSFET P-CH 500V 10A TO-3P
Číslo dílu
IXTQ10P50P
Výrobce/značka
Série
PolarP™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-3P-3, SC-65-3
Dodavatelský balíček zařízení
TO-3P
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2840pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 19386 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXTQ10P50P
IXTQ10P50P Elektronické komponenty
IXTQ10P50P Odbyt
IXTQ10P50P Dodavatel
IXTQ10P50P Distributor
IXTQ10P50P Datová tabulka
IXTQ10P50P Fotky
IXTQ10P50P Cena
IXTQ10P50P Nabídka
IXTQ10P50P Nejnižší cena
IXTQ10P50P Vyhledávání
IXTQ10P50P Nákup
IXTQ10P50P Chip