Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTT10N100D2
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267
Číslo dílu
IXTT10N100D2
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-268
Ztráta energie (max.)
695W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Depletion Mode
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.5 Ohm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
200nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5320pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49770 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTT10N100D2
IXTT10N100D2 Elektronické komponenty
IXTT10N100D2 Odbyt
IXTT10N100D2 Dodavatel
IXTT10N100D2 Distributor
IXTT10N100D2 Datová tabulka
IXTT10N100D2 Fotky
IXTT10N100D2 Cena
IXTT10N100D2 Nabídka
IXTT10N100D2 Nejnižší cena
IXTT10N100D2 Vyhledávání
IXTT10N100D2 Nákup
IXTT10N100D2 Chip