Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTT2N170D2
MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268
Číslo dílu
IXTT2N170D2
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-268
Ztráta energie (max.)
568W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
Depletion Mode
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1700V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2A (Tj)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6.5 Ohm @ 1A, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3650pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
-
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 41488 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTT2N170D2
IXTT2N170D2 Elektronické komponenty
IXTT2N170D2 Odbyt
IXTT2N170D2 Dodavatel
IXTT2N170D2 Distributor
IXTT2N170D2 Datová tabulka
IXTT2N170D2 Fotky
IXTT2N170D2 Cena
IXTT2N170D2 Nabídka
IXTT2N170D2 Nejnižší cena
IXTT2N170D2 Vyhledávání
IXTT2N170D2 Nákup
IXTT2N170D2 Chip