Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTT34N65X2HV
MOSFET N-CH
Číslo dílu
IXTT34N65X2HV
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
-
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-268HV
Ztráta energie (max.)
540W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
650V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
96 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
54nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
3000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 30150 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTT34N65X2HV
IXTT34N65X2HV Elektronické komponenty
IXTT34N65X2HV Odbyt
IXTT34N65X2HV Dodavatel
IXTT34N65X2HV Distributor
IXTT34N65X2HV Datová tabulka
IXTT34N65X2HV Fotky
IXTT34N65X2HV Cena
IXTT34N65X2HV Nabídka
IXTT34N65X2HV Nejnižší cena
IXTT34N65X2HV Vyhledávání
IXTT34N65X2HV Nákup
IXTT34N65X2HV Chip