Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTT3N200P3HV
2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
Číslo dílu
IXTT3N200P3HV
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-268
Ztráta energie (max.)
520W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
2000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
3A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1860pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 7748 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTT3N200P3HV
IXTT3N200P3HV Elektronické komponenty
IXTT3N200P3HV Odbyt
IXTT3N200P3HV Dodavatel
IXTT3N200P3HV Distributor
IXTT3N200P3HV Datová tabulka
IXTT3N200P3HV Fotky
IXTT3N200P3HV Cena
IXTT3N200P3HV Nabídka
IXTT3N200P3HV Nejnižší cena
IXTT3N200P3HV Vyhledávání
IXTT3N200P3HV Nákup
IXTT3N200P3HV Chip