Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTT4N150HV
MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO268
Číslo dílu
IXTT4N150HV
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-268
Ztráta energie (max.)
280W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
44.5nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1576pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 27059 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTT4N150HV
IXTT4N150HV Elektronické komponenty
IXTT4N150HV Odbyt
IXTT4N150HV Dodavatel
IXTT4N150HV Distributor
IXTT4N150HV Datová tabulka
IXTT4N150HV Fotky
IXTT4N150HV Cena
IXTT4N150HV Nabídka
IXTT4N150HV Nejnižší cena
IXTT4N150HV Vyhledávání
IXTT4N150HV Nákup
IXTT4N150HV Chip