Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTT50P085

IXTT50P085

MOSFET P-CH 85V 50A TO-268
Číslo dílu
IXTT50P085
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-268
Ztráta energie (max.)
300W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
85V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
55 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
150nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
4200pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 24834 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova IXTT50P085
IXTT50P085 Elektronické komponenty
IXTT50P085 Odbyt
IXTT50P085 Dodavatel
IXTT50P085 Distributor
IXTT50P085 Datová tabulka
IXTT50P085 Fotky
IXTT50P085 Cena
IXTT50P085 Nabídka
IXTT50P085 Nejnižší cena
IXTT50P085 Vyhledávání
IXTT50P085 Nákup
IXTT50P085 Chip