Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTT80N20L
MOSFET N-CH 200V 80A TO-268
Číslo dílu
IXTT80N20L
Výrobce/značka
Série
Linear™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Dodavatelský balíček zařízení
TO-268
Ztráta energie (max.)
520W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
32 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6160pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 48603 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTT80N20L
IXTT80N20L Elektronické komponenty
IXTT80N20L Odbyt
IXTT80N20L Dodavatel
IXTT80N20L Distributor
IXTT80N20L Datová tabulka
IXTT80N20L Fotky
IXTT80N20L Cena
IXTT80N20L Nabídka
IXTT80N20L Nejnižší cena
IXTT80N20L Vyhledávání
IXTT80N20L Nákup
IXTT80N20L Chip