Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXTX110N20L2
MOSFET N-CH 200V 110A PLUS247
Číslo dílu
IXTX110N20L2
Výrobce/značka
Série
Linear L2™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
PLUS247™-3
Ztráta energie (max.)
960W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
24 mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 3mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
500nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
23000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35414 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXTX110N20L2
IXTX110N20L2 Elektronické komponenty
IXTX110N20L2 Odbyt
IXTX110N20L2 Dodavatel
IXTX110N20L2 Distributor
IXTX110N20L2 Datová tabulka
IXTX110N20L2 Fotky
IXTX110N20L2 Cena
IXTX110N20L2 Nabídka
IXTX110N20L2 Nejnižší cena
IXTX110N20L2 Vyhledávání
IXTX110N20L2 Nákup
IXTX110N20L2 Chip