Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXUN350N10
MOSFET N-CH 100V 350A SOT-227B
Číslo dílu
IXUN350N10
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Obsolete
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SOT-227-4, miniBLOC
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-227B
Ztráta energie (max.)
830W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
350A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.5 mOhm @ 175A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 3mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
640nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
27000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 45943 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXUN350N10
IXUN350N10 Elektronické komponenty
IXUN350N10 Odbyt
IXUN350N10 Dodavatel
IXUN350N10 Distributor
IXUN350N10 Datová tabulka
IXUN350N10 Fotky
IXUN350N10 Cena
IXUN350N10 Nabídka
IXUN350N10 Nejnižší cena
IXUN350N10 Vyhledávání
IXUN350N10 Nákup
IXUN350N10 Chip