Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXXQ30N60B3M
IGBT
Číslo dílu
IXXQ30N60B3M
Výrobce/značka
Série
XPT™, GenX3™
Stav sekce
Active
Obal
-
Typ vstupu
Standard
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-3P-3 Full Pack
Výkon - Max
90W
Dodavatelský balíček zařízení
TO-3P
Reverzní doba zotavení (trr)
36ns
Proud – kolektor (Ic) (Max)
33A
Napětí – porucha kolektoru emitoru (max.)
600V
typ IGBT
-
Vce (aktivní) (Max) @ Vge, Ic
1.85V @ 15V, 24A
Proud – pulzující kolektor (ICM)
140A
Přechod energie
550µJ (on), 800µJ (off)
Poplatky za bránu
39nC
BP (zapnuto/vypnuto) @ 25 °C
23ns/150ns
Zkouška stavu
400V, 24A, 10 Ohm, 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail chen_hx1688@hotmail.com, budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26311 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXXQ30N60B3M
IXXQ30N60B3M Elektronické komponenty
IXXQ30N60B3M Odbyt
IXXQ30N60B3M Dodavatel
IXXQ30N60B3M Distributor
IXXQ30N60B3M Datová tabulka
IXXQ30N60B3M Fotky
IXXQ30N60B3M Cena
IXXQ30N60B3M Nabídka
IXXQ30N60B3M Nejnižší cena
IXXQ30N60B3M Vyhledávání
IXXQ30N60B3M Nákup
IXXQ30N60B3M Chip