Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXYX100N65B3D1
IGBT 650V 188A 1150W PLUS247
Číslo dílu
IXYX100N65B3D1
Výrobce/značka
Série
GenX3™, XPT™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Typ vstupu
Standard
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Výkon - Max
830W
Dodavatelský balíček zařízení
PLUS247™-3
Reverzní doba zotavení (trr)
156ns
Proud – kolektor (Ic) (Max)
225A
Napětí – porucha kolektoru emitoru (max.)
650V
typ IGBT
PT
Vce (aktivní) (Max) @ Vge, Ic
1.85V @ 15V, 70A
Proud – pulzující kolektor (ICM)
460A
Přechod energie
1.27mJ (on), 1.37mJ (off)
Poplatky za bránu
168nC
BP (zapnuto/vypnuto) @ 25 °C
29ns/150ns
Zkouška stavu
400V, 50A, 3 Ohm, 15V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 35715 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXYX100N65B3D1
IXYX100N65B3D1 Elektronické komponenty
IXYX100N65B3D1 Odbyt
IXYX100N65B3D1 Dodavatel
IXYX100N65B3D1 Distributor
IXYX100N65B3D1 Datová tabulka
IXYX100N65B3D1 Fotky
IXYX100N65B3D1 Cena
IXYX100N65B3D1 Nabídka
IXYX100N65B3D1 Nejnižší cena
IXYX100N65B3D1 Vyhledávání
IXYX100N65B3D1 Nákup
IXYX100N65B3D1 Chip