Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MIEB100W1200TEH

MIEB100W1200TEH

IGBT MODULE 1200V 183A HEX
Číslo dílu
MIEB100W1200TEH
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Provozní teplota
-40°C ~ 125°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
E3
Výkon - Max
630W
Konfigurace
Three Phase Inverter
Dodavatelský balíček zařízení
E3
Proud – kolektor (Ic) (Max)
183A
Napětí – porucha kolektoru emitoru (max.)
1200V
Proud – limit sběrače (Max)
300µA
typ IGBT
-
Vce (aktivní) (Max) @ Vge, Ic
2.2V @ 15V, 100A
Vstupní kapacita (Cies) @ Vce
7.43nF @ 25V
Vstupte
Standard
NTC termistor
Yes
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 13308 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova MIEB100W1200TEH
MIEB100W1200TEH Elektronické komponenty
MIEB100W1200TEH Odbyt
MIEB100W1200TEH Dodavatel
MIEB100W1200TEH Distributor
MIEB100W1200TEH Datová tabulka
MIEB100W1200TEH Fotky
MIEB100W1200TEH Cena
MIEB100W1200TEH Nabídka
MIEB100W1200TEH Nejnižší cena
MIEB100W1200TEH Vyhledávání
MIEB100W1200TEH Nákup
MIEB100W1200TEH Chip