Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXFX55N50F
MOSFET N-CH 500V 55A PLUS247
Číslo dílu
IXFX55N50F
Výrobce/značka
Série
HiPerRF™
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3
Dodavatelský balíček zařízení
PLUS247™-3
Ztráta energie (max.)
560W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
55A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
85 mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 8mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
195nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
6700pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52366 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXFX55N50F
IXFX55N50F Elektronické komponenty
IXFX55N50F Odbyt
IXFX55N50F Dodavatel
IXFX55N50F Distributor
IXFX55N50F Datová tabulka
IXFX55N50F Fotky
IXFX55N50F Cena
IXFX55N50F Nabídka
IXFX55N50F Nejnižší cena
IXFX55N50F Vyhledávání
IXFX55N50F Nákup
IXFX55N50F Chip