Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
IXRFSM12N100
2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE
Číslo dílu
IXRFSM12N100
Výrobce/značka
Série
SMPD
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
16-SMPD
Ztráta energie (max.)
940W
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
1.05 Ohm @ 6A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
77nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
2875pF @ 800V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
15V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 32041 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova IXRFSM12N100
IXRFSM12N100 Elektronické komponenty
IXRFSM12N100 Odbyt
IXRFSM12N100 Dodavatel
IXRFSM12N100 Distributor
IXRFSM12N100 Datová tabulka
IXRFSM12N100 Fotky
IXRFSM12N100 Cena
IXRFSM12N100 Nabídka
IXRFSM12N100 Nejnižší cena
IXRFSM12N100 Vyhledávání
IXRFSM12N100 Nákup
IXRFSM12N100 Chip