Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MA4AGBLP912
ALGAAS BEAM LEAD PIN DIODE
Číslo dílu
MA4AGBLP912
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tray
Provozní teplota
-65°C ~ 125°C (TJ)
Balíček/pouzdro
-
Dodavatelský balíček zařízení
-
Proud - Max
40mA
Typ diody
PIN - Single
Napětí – převrácený vrchol (max.)
50V
Kapacita @ Vr, F
0.03pF @ 5V, 1MHz
Odolnost @ If, F
4.9 Ohm @ 20mA, 1GHz
Ztráta energie (max.)
-
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 42902 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova MA4AGBLP912
MA4AGBLP912 Elektronické komponenty
MA4AGBLP912 Odbyt
MA4AGBLP912 Dodavatel
MA4AGBLP912 Distributor
MA4AGBLP912 Datová tabulka
MA4AGBLP912 Fotky
MA4AGBLP912 Cena
MA4AGBLP912 Nabídka
MA4AGBLP912 Nejnižší cena
MA4AGBLP912 Vyhledávání
MA4AGBLP912 Nákup
MA4AGBLP912 Chip