Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
MCMN2012-TP
MOSFET N-CH 20V 12A DFN202
Číslo dílu
MCMN2012-TP
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tape & Reel (TR)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
6-WDFN Exposed Pad
Dodavatelský balíček zařízení
DFN2020-6J
Ztráta energie (max.)
-
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
11 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 4V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.2V, 4.5V
VGS (max.)
±10V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20712 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova MCMN2012-TP
MCMN2012-TP Elektronické komponenty
MCMN2012-TP Odbyt
MCMN2012-TP Dodavatel
MCMN2012-TP Distributor
MCMN2012-TP Datová tabulka
MCMN2012-TP Fotky
MCMN2012-TP Cena
MCMN2012-TP Nabídka
MCMN2012-TP Nejnižší cena
MCMN2012-TP Vyhledávání
MCMN2012-TP Nákup
MCMN2012-TP Chip