SI2301A-TP
P-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE
Číslo dílu
SI2301A-TP
Výrobce/značka
Stav sekce
Active
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodavatelský balíček zařízení
SOT-23
Ztráta energie (max.)
1.25W
Typ FET
P-Channel
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
20V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
2.8A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
120 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
14.5nC @ 4.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
880pF @ 6V
VGS (max.)
±8V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26193 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova SI2301A-TP
SI2301A-TP Elektronické komponenty
SI2301A-TP Odbyt
SI2301A-TP Dodavatel
SI2301A-TP Distributor
SI2301A-TP Datová tabulka
SI2301A-TP Fotky
SI2301A-TP Cena
SI2301A-TP Nabídka
SI2301A-TP Nejnižší cena
SI2301A-TP Vyhledávání
SI2301A-TP Nákup
SI2301A-TP Chip