Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
DN2625DK6-G
MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN
Číslo dílu
DN2625DK6-G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tray
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balíček/pouzdro
8-VDFN Exposed Pad
Výkon - Max
-
Dodavatelský balíček zařízení
8-DFN (5x5)
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Depletion Mode
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
250V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
1.1A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
3.5 Ohm @ 1A, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
7.04nC @ 1.5V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
1000pF @ 25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38398 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova DN2625DK6-G
DN2625DK6-G Elektronické komponenty
DN2625DK6-G Odbyt
DN2625DK6-G Dodavatel
DN2625DK6-G Distributor
DN2625DK6-G Datová tabulka
DN2625DK6-G Fotky
DN2625DK6-G Cena
DN2625DK6-G Nabídka
DN2625DK6-G Nejnižší cena
DN2625DK6-G Vyhledávání
DN2625DK6-G Nákup
DN2625DK6-G Chip