VN10KN3-G-P002
MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
Číslo dílu
VN10KN3-G-P002
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Cut Tape (CT)
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Dodavatelský balíček zařízení
TO-92-3
Ztráta energie (max.)
1W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
60V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
310mA (Tj)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
60pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 53183 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova VN10KN3-G-P002
VN10KN3-G-P002 Elektronické komponenty
VN10KN3-G-P002 Odbyt
VN10KN3-G-P002 Dodavatel
VN10KN3-G-P002 Distributor
VN10KN3-G-P002 Datová tabulka
VN10KN3-G-P002 Fotky
VN10KN3-G-P002 Cena
VN10KN3-G-P002 Nabídka
VN10KN3-G-P002 Nejnižší cena
VN10KN3-G-P002 Vyhledávání
VN10KN3-G-P002 Nákup
VN10KN3-G-P002 Chip