Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
VP0109N3-G
MOSFET P-CH 90V 0.25A TO92-3
Číslo dílu
VP0109N3-G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Bulk
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Dodavatelský balíček zařízení
TO-92-3
Ztráta energie (max.)
1W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
90V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
250mA (Tj)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
8 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
60pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
5V, 10V
VGS (max.)
±20V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 26202 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova VP0109N3-G
VP0109N3-G Elektronické komponenty
VP0109N3-G Odbyt
VP0109N3-G Dodavatel
VP0109N3-G Distributor
VP0109N3-G Datová tabulka
VP0109N3-G Fotky
VP0109N3-G Cena
VP0109N3-G Nabídka
VP0109N3-G Nejnižší cena
VP0109N3-G Vyhledávání
VP0109N3-G Nákup
VP0109N3-G Chip