Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APL502B2G
MOSFET N-CH 500V 58A T-MAX
Číslo dílu
APL502B2G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Tube
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balíček/pouzdro
TO-247-3 Variant
Dodavatelský balíček zařízení
T-MAX™ [B2]
Ztráta energie (max.)
730W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
90 mOhm @ 29A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
9000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
15V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 43647 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APL502B2G
APL502B2G Elektronické komponenty
APL502B2G Odbyt
APL502B2G Dodavatel
APL502B2G Distributor
APL502B2G Datová tabulka
APL502B2G Fotky
APL502B2G Cena
APL502B2G Nabídka
APL502B2G Nejnižší cena
APL502B2G Vyhledávání
APL502B2G Nákup
APL502B2G Chip