Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APTM100A13SG
MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
Číslo dílu
APTM100A13SG
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Bulk
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SP6
Výkon - Max
1250W
Dodavatelský balíček zařízení
SP6
Typ FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Funkce FET
Standard
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V (1kV)
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
65A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
156 mOhm @ 32.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 6mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
562nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
15200pF @ 25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16134 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APTM100A13SG
APTM100A13SG Elektronické komponenty
APTM100A13SG Odbyt
APTM100A13SG Dodavatel
APTM100A13SG Distributor
APTM100A13SG Datová tabulka
APTM100A13SG Fotky
APTM100A13SG Cena
APTM100A13SG Nabídka
APTM100A13SG Nejnižší cena
APTM100A13SG Vyhledávání
APTM100A13SG Nákup
APTM100A13SG Chip