Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APTM100DA33T1G
MOSFET N-CH 1000V 23A SP1
Číslo dílu
APTM100DA33T1G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Bulk
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SP1
Dodavatelský balíček zařízení
SP1
Ztráta energie (max.)
390W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
396 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
305nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
7868pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 14356 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APTM100DA33T1G
APTM100DA33T1G Elektronické komponenty
APTM100DA33T1G Odbyt
APTM100DA33T1G Dodavatel
APTM100DA33T1G Distributor
APTM100DA33T1G Datová tabulka
APTM100DA33T1G Fotky
APTM100DA33T1G Cena
APTM100DA33T1G Nabídka
APTM100DA33T1G Nejnižší cena
APTM100DA33T1G Vyhledávání
APTM100DA33T1G Nákup
APTM100DA33T1G Chip