Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APTM100DAM90G
MOSFET N-CH 1000V 78A SP6
Číslo dílu
APTM100DAM90G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Bulk
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SP6
Dodavatelský balíček zařízení
SP6
Ztráta energie (max.)
1250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1000V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
78A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
105 mOhm @ 39A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 10mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
744nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
20700pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 33502 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APTM100DAM90G
APTM100DAM90G Elektronické komponenty
APTM100DAM90G Odbyt
APTM100DAM90G Dodavatel
APTM100DAM90G Distributor
APTM100DAM90G Datová tabulka
APTM100DAM90G Fotky
APTM100DAM90G Cena
APTM100DAM90G Nabídka
APTM100DAM90G Nejnižší cena
APTM100DAM90G Vyhledávání
APTM100DAM90G Nákup
APTM100DAM90G Chip