Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APTM10DAM02G
MOSFET N-CH 100V 495A SP6
Číslo dílu
APTM10DAM02G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Bulk
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SP6
Dodavatelský balíček zařízení
SP6
Ztráta energie (max.)
1250W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
495A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.5 mOhm @ 200A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
1360nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
40000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 16480 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APTM10DAM02G
APTM10DAM02G Elektronické komponenty
APTM10DAM02G Odbyt
APTM10DAM02G Dodavatel
APTM10DAM02G Distributor
APTM10DAM02G Datová tabulka
APTM10DAM02G Fotky
APTM10DAM02G Cena
APTM10DAM02G Nabídka
APTM10DAM02G Nejnižší cena
APTM10DAM02G Vyhledávání
APTM10DAM02G Nákup
APTM10DAM02G Chip