Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APTM10DSKM19T3G
MOSFET 2N-CH 100V 70A SP3
Číslo dílu
APTM10DSKM19T3G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Bulk
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SP3
Výkon - Max
208W
Dodavatelský balíček zařízení
SP3
Typ FET
2 N-Channel (Dual)
Funkce FET
Standard
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
70A
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
21 mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
200nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
5100pF @ 25V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 40873 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APTM10DSKM19T3G
APTM10DSKM19T3G Elektronické komponenty
APTM10DSKM19T3G Odbyt
APTM10DSKM19T3G Dodavatel
APTM10DSKM19T3G Distributor
APTM10DSKM19T3G Datová tabulka
APTM10DSKM19T3G Fotky
APTM10DSKM19T3G Cena
APTM10DSKM19T3G Nabídka
APTM10DSKM19T3G Nejnižší cena
APTM10DSKM19T3G Vyhledávání
APTM10DSKM19T3G Nákup
APTM10DSKM19T3G Chip