Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APTM10UM02FAG

APTM10UM02FAG

MOSFET N-CH 100V 570A SP6
Číslo dílu
APTM10UM02FAG
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Bulk
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SP6
Dodavatelský balíček zařízení
SP6
Ztráta energie (max.)
1660W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
100V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
570A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
2.5 mOhm @ 200A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
1360nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
40000pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 36521 PCS
Kontaktní informace
Klíčová slova APTM10UM02FAG
APTM10UM02FAG Elektronické komponenty
APTM10UM02FAG Odbyt
APTM10UM02FAG Dodavatel
APTM10UM02FAG Distributor
APTM10UM02FAG Datová tabulka
APTM10UM02FAG Fotky
APTM10UM02FAG Cena
APTM10UM02FAG Nabídka
APTM10UM02FAG Nejnižší cena
APTM10UM02FAG Vyhledávání
APTM10UM02FAG Nákup
APTM10UM02FAG Chip