Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APTM120DA30CT1G
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
Číslo dílu
APTM120DA30CT1G
Výrobce/značka
Série
POWER MOS 8™
Stav sekce
Active
Obal
Bulk
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SP1
Dodavatelský balíček zařízení
SP1
Ztráta energie (max.)
657W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
31A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
360 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
560nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
14560pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 38047 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APTM120DA30CT1G
APTM120DA30CT1G Elektronické komponenty
APTM120DA30CT1G Odbyt
APTM120DA30CT1G Dodavatel
APTM120DA30CT1G Distributor
APTM120DA30CT1G Datová tabulka
APTM120DA30CT1G Fotky
APTM120DA30CT1G Cena
APTM120DA30CT1G Nabídka
APTM120DA30CT1G Nejnižší cena
APTM120DA30CT1G Vyhledávání
APTM120DA30CT1G Nákup
APTM120DA30CT1G Chip