Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APTM120U10SCAVG
MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
Číslo dílu
APTM120U10SCAVG
Výrobce/značka
Série
POWER MOS 7®
Stav sekce
Active
Obal
Bulk
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SP6
Dodavatelský balíček zařízení
SP6
Ztráta energie (max.)
3290W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
1200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
116A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
120 mOhm @ 58A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 20mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
1100nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
28900pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 49934 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APTM120U10SCAVG
APTM120U10SCAVG Elektronické komponenty
APTM120U10SCAVG Odbyt
APTM120U10SCAVG Dodavatel
APTM120U10SCAVG Distributor
APTM120U10SCAVG Datová tabulka
APTM120U10SCAVG Fotky
APTM120U10SCAVG Cena
APTM120U10SCAVG Nabídka
APTM120U10SCAVG Nejnižší cena
APTM120U10SCAVG Vyhledávání
APTM120U10SCAVG Nákup
APTM120U10SCAVG Chip