Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APTM20DAM05G
MOSFET N-CH 200V 317A SP6
Číslo dílu
APTM20DAM05G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Bulk
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SP6
Dodavatelský balíček zařízení
SP6
Ztráta energie (max.)
1136W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
317A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
6 mOhm @ 158.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 10mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
448nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
27400pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 34994 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APTM20DAM05G
APTM20DAM05G Elektronické komponenty
APTM20DAM05G Odbyt
APTM20DAM05G Dodavatel
APTM20DAM05G Distributor
APTM20DAM05G Datová tabulka
APTM20DAM05G Fotky
APTM20DAM05G Cena
APTM20DAM05G Nabídka
APTM20DAM05G Nejnižší cena
APTM20DAM05G Vyhledávání
APTM20DAM05G Nákup
APTM20DAM05G Chip