Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APTM20DAM08TG
MOSFET N-CH 200V 208A SP4
Číslo dílu
APTM20DAM08TG
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Bulk
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SP4
Dodavatelský balíček zařízení
SP4
Ztráta energie (max.)
781W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
200V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
208A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
10 mOhm @ 104A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 5mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
280nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
14400pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 52124 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APTM20DAM08TG
APTM20DAM08TG Elektronické komponenty
APTM20DAM08TG Odbyt
APTM20DAM08TG Dodavatel
APTM20DAM08TG Distributor
APTM20DAM08TG Datová tabulka
APTM20DAM08TG Fotky
APTM20DAM08TG Cena
APTM20DAM08TG Nabídka
APTM20DAM08TG Nejnižší cena
APTM20DAM08TG Vyhledávání
APTM20DAM08TG Nákup
APTM20DAM08TG Chip