Obrázek může být reprezentace.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
Viz Specifikace pro podrobnosti o produktu.
APTM50DAM19G
MOSFET N-CH 500V 163A SP6
Číslo dílu
APTM50DAM19G
Výrobce/značka
Série
-
Stav sekce
Active
Obal
Bulk
Technika
MOSFET (Metal Oxide)
Provozní teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Chassis Mount
Balíček/pouzdro
SP6
Dodavatelský balíček zařízení
SP6
Ztráta energie (max.)
1136W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkce FET
-
Odvod ke zdroji napětí (Vdss)
500V
Proud - kontinuální vypouštění (Id) @ 25°C
163A (Tc)
Aktivní Rds (Max) @ ID, Vgs
22.5 mOhm @ 81.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 10mA
Cena brány (Qg) (Max) @ Vgs
492nC @ 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
22400pF @ 25V
Napětí pohonu (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
VGS (max.)
±30V
Žádost o nabídku
Vyplňte prosím všechna požadovaná pole a klikněte na " Předložit ", budeme vás kontaktovat za 12 hodin e-mailem. Pokud máte nějaký problém, zanechte prosím zprávy nebo e-mail [email protected], budeme odpovídat co nejdříve.
Na skladě 20205 PCS
Kontaktní informace
Související produkty
Klíčová slova APTM50DAM19G
APTM50DAM19G Elektronické komponenty
APTM50DAM19G Odbyt
APTM50DAM19G Dodavatel
APTM50DAM19G Distributor
APTM50DAM19G Datová tabulka
APTM50DAM19G Fotky
APTM50DAM19G Cena
APTM50DAM19G Nabídka
APTM50DAM19G Nejnižší cena
APTM50DAM19G Vyhledávání
APTM50DAM19G Nákup
APTM50DAM19G Chip